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电子元器件详细资料 » IC[27106] » SIR882DP-T1-GE3
型号:SIR882DP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH 100V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C8.7 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.8V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs58nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1930pF @ 50V
功率_最大83W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装剪切带 (CT)

供应商

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SIR882DP-T1-GE3相关型号

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